硅片扩散前的表面准备
邵爱军 2005年11月2 概 述
硅片表面处理的目的：3 概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅4 概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割5 概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层6 概述：金属杂质对电池性能的影响7 概述：表面织构化
单晶硅片表面的 金字塔状绒面
单晶硅片表面反射率8 化学腐蚀的原理
热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层：
HF去除硅片表面氧化层：
HCl去除硅片表面金属杂质： 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 9 注意事项
在工序1中氢氧化钠溶液与硅片反应时会有碱蒸气产生，故设备运行时请关闭玻璃门。 盐酸是挥发性强酸，不要去闻其味道 氢氟酸会腐蚀玻璃，故不与玻璃器械接触，也不要去闻氢氟酸的味道。 如果酸或碱不小心溅入眼内或溅到脸上，请立即打开洗脸洗眼池上盖冲洗。
10 注意事项