文本描述
ICS29.220K 83DB13河北省地方标准DB 13/T 1631—2012 太阳能级多晶硅锭 The solar grade polysilicon ingot 2012-09-28发布2012-10-15实施河北省质量技术监督局发 布 DB13/T 1631—2012前言本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。本标准起草单位:英利集团有限公司。本标准起草人: 高艳杰、王爱军、王亮。I DB13/T 1631—2012太阳能级多晶硅锭1范围本标准规定了太阳能级多晶硅锭的产品质量等级、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于太阳能级多晶硅锭。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 191 包装储运图示标志GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法GB/T 1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 12963硅多晶GB/T 14264半导体材料术语GB/T 25074太阳能级多晶硅GB 50034-2004建筑照明设计标准3定义GB/T 14264界定的以及以下术语和定义适用于本文件。3.1多晶硅锭The polysilicon ingot将多晶硅料进行掺杂,运用定向凝固法,经过高温生长的方形多晶硅锭。3.2粘锅 Adhesion crucible多晶硅料经过定向凝固出炉后,由于多晶硅锭与坩埚碎片的粘连,造成的多晶硅锭破损。3.3裂纹Crackle延伸到硅锭表面的解理或断裂,其或许没有穿过硅锭的整个高度或宽度。1