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好。2014年国内Memory规模520亿美元,自给率几乎为0。同
时2012-2018年DRAM和NAND Flash复合增长率5.5%和
11.0% ,高于半导体行业平均增速4.6%。优势二,切入Memory
门槛低,主要来自标准化(下游转换成本低)、制程要求低(避
开中国软肋)、设计难度低。优势三,国内产业政策扶持和国内
制造优势
两步走,第一步进入NAND Flash领域,15-18年全球复合增长
20%,2018年中国市场容量180亿美元,并有望有3D NAND实
现弯道超车。第二步有望进入DRAM领域,15-18年复合增长
12.1%,2018年中国市场容量210亿美元。不过产业巨头在扩产
和提高技术进入门槛,有意减缓中国进入脚步
阶段自给率从10%提升至40%的历史使命,在产业转移和政策支
持的背景下,未来行业性的投资机会将持续。其中上游看好上海
新阳、中环股份、七星电子,中游看好同方国芯,下游看好太极
实业和长电科技
行业深度报告: Memory产业格局巨变,利好全产业链
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目 录
一、Memory产业格局巨变,中国优势有三 ........ - 4 -
1.1、Memory划分:NAND Flash和DRAM .......... - 4 -
1.2、紫光集团切入Memory,产业格局巨变 ....... - 4 -
1.3、优势一:进口替代空间大、成长性好 ....... - 5 -
1.4、优势二:切入Memory门槛低 .. - 7 -
1.5、优势三:产业政策扶持和国内制造优势 ..... - 8 -
二、NAND Flash—中国芯片切入第一站 .......... - 9 -
2.1、前三占比超70%,国内几乎空白- 9 -
2.2、15-18年全球复合增长20%,2018年中国市场容量180亿美元 ......... - 10 -
2.3、量升价跌:供大于求和技术提升 .......... - 11 -
2.4、3D NAND—中国企业弯道超车机会 ......... - 12 -
三、DRAM—下一站将切入的领域 ... - 13 -
3.1、竞争格局更激烈,前三占据90%份额 ....... - 13 -
3.2、15-18年复合增长12.1%,2018年中国市场容量210亿美元 ........... - 14 -
3.3、价格处于下降通道,巨头增产和技术进步提升门槛 ...... - 15 -
3.4、制程进入20nm以内,未来5年DDR4成主流- 16 -
四、Memory产业链和受益标的 ..... - 17 -
4.1、Memory产业链全景 .......... - 17 -
4.2、上游推荐: 上海新阳、中环股份、七星电子- 18 -
4.3、中游推荐:同方国芯 ........ - 19 -
4.4、下游推荐:太极实业、长电科技 .......... - 20 -
行业深度报告: Memory产业格局巨变,利好全产业链
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图表目录
图表1:Memory存储芯片的分类 ........... - 4 -
图表2:同方国芯定增项目情况 ........... - 5 -
图表3:国内Memory存储芯片在芯片规模占比最大 ...... - 6 -
图表4:存储芯片的成长性远远高于半导体成长性 ....... - 6 -
图表5:到2018年国内Memory市场规模到850亿美元 ... - 7 -
图表6:全球逻辑IC和Memory采用的主流制程 ......... - 8 -
图表7:近年来国家对集成电路产业的出台的扶持政策 ... - 8 -
图表8:NAND Flash市场各品牌份额 ....... - 9 -
图表9:全球主要NAND Flash厂商2013-2014营收和市场份额 ....... - 10 -
图表10:2018年全球NAND Flash市场规模460亿美元 .. - 10 -
图表11:全球NAND Flash的下游消费占比- 10 -
图表12:2018年中国NAND Flash市场规模180亿美元 .. - 11 -
图表13:16Gb NAND Flash价格趋势(单位:美元) .... - 11 -
图表14:32Gb NAND Flash价格趋势(单位:美元) .... - 11 -
图表15:15年后3D NAND将开始显现成本优势 ......... - 12 -
图表16:主要NAND Flash芯片厂制程技术时程图 ...... - 13 -
图表17:DRAM市场各品牌份额 ........... - 13 -
图表18:全球主要DRAM厂商2013-2014营收和市场份额- 14 -
图表19:2018年中国NAND Flash市场规模180亿美元 .. - 14 -
图表20:2018年全球DRAM市场规模730亿美元 ........ - 15 -
图表21:中国DRAM占去全球比重 ........ - 15 -
图表22:4Gb DRAM合约价趋势 ........... - 15 -
图表23:DRAM三巨头的产能和技术布局 ... - 16 -
图表24:DRAM巨头的制程进度 ........... - 16 -
图表25:DDR4拥有更高频率和更低功耗 ... - 17 -
图表26:Memory产业链和相关公司 ....... - 18 -
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行业深度报告: Memory产业格局巨变,利好全产业链
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一、Memory产业格局巨变,中国优势有三
1.1、Memory划分:NAND Flash和DRAM
存储芯片(Memory)是一种以半导体为材料的存储介质,平日常见的U盘、PC
内存、SSD(固态硬盘)的均属于Memory的范围
以断电后存储数据是否丢失为标准,Memory主要划分两类:一类是非易失性存
储器(Non-Volatile Memory),这一类Memory断电后数据能够存储,主要以NAND
Flash为代表,常见于U盘和SSD(固态硬盘);另一类是易失性存储器(Volatile
Memory),这一类Memory断电后数据不能储存,主要以DRAM为代表,常见于PC
和手机内存
除了NAND Flash和DRAM,Memory还包含其他门类,例如Nor Flash、SRAM
等。但从产值构成来分析,NAND Flash和DRAM是构成Memory产业的核心构成,
分别占据Memory产值的37%和57%
图表1:Memory存储芯片的分类
资料来源:互联网、财富证券
1.2、紫光集团切入Memory,产业格局巨变
近期紫光集团与Memory相关的资本运作,主要是旗下紫光股份间接注入闪迪和
同方国芯800亿元定增募投Memory产业。两次运作后,紫光集团间接或者直接控
制了全球30-35%的NAND Flash产能,未来再有望进入DRAM领域,全球的Memory
产业格局将发展巨变
(1)收购西部数据切入闪迪,拥有全球NAND Flash 19.7%的产能 。紫光集团
是紫光股份的控股股东,紫光股份10月4日晚公告,公司旗下子公司紫光联合将以
92.50美元/股的价格认购 NASDAQ 上市公司西部数据发行的4081万股普通股,金
额共计37.75亿美元。认购发行完成后,公司将通过紫光联合持有WDC发行在外的
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