中国长城计算机深圳股份有限公司电源事业部 元件应力降额规范 编号: WI-QD-DQ008 版本号:A 修改号:00 第 2 页 共 10页 版本变. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . Page 3 适用范围 . . . . . . .. . . .. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 3 定义 . . . . . . .. . . .. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 3 元件关键参数表. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .Page4 1.0 半导体元器件 1. 1 额定义: 顺向电 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . . . . . . . . Page 5 1. 2 额定义: 电压应 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 5 1. 3 额定义: 结点温 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 5 2.0 电阻器 2. 1 额定义: 功损耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 6 2..2 额定义: 电压应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 6 2. 3 额定义: 温应 . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . Page 7 3.0 电容器 3. 1 额定义: 电压应. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 7 3. 2 额定义: 纹波电应. . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . Page 7 3. 3 额定义: 温应 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 8 4.0 磁性元器件 4. 1 额定义: 磁通密 . . . . . . . . . . . . . . . .. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 8 4. 2 绝缘击穿电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . Page 8 4. 3 塑性材温. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Page 9 4. 4 绕组材温. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 9 4. 5 磁芯温. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Page 9 5.0 数字和线性集成电 5. 1 额定义: 输入电压应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . Page 10 5. 2 额定义: 输入电应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 10 5. 3 额定义: 输出电应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 10 5. 4 额定义: 结点温应 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Page 10 中国长城计算机深圳股份有限公司电源事业部 元件应力降额规范 编号: WI-QD-DQ008 版本号:A 修改号:00 第 3 页 共 10页 版本新 版本编号 新日期 更新者 新内容 A 2010-01-12 申立锋 建立 适用范围 此文件适用于长城计算机电源事业部所开发的电源元件应力测试。 定义 此文件中降额定义的分三个状态，定义如下 Acceptable: 元器件工作在此状态下被认为是低风险的，无需修改。 Questionable: 元器件工作在这种状态下可能是低风险，中等风险或高风险。这取决是实际作用在该 元器件上的应力。因此需要作进一步分析以确定是否可接受。 Unacceptable: 元器件不能工作在此状态下，元器件应用在这种状态下有很高的风险 中国长城计算机深圳股份有限公司电源事业部 元件应力降额规范 编号: WI-QD-DQ008 版本号:A 修改号:00 第 4 页 共 10页 元件关键参数表 半导体元件 半导体器件 FET 漏－源极电源 Vds 栅－源极电压 Vgs 漏极电流 Id 结点温度 Tj Transistors 集电极－发射 极电压 Vce 基极－发射极 电压 Vbe 集电极电流 Ic 结点温度 Tj Diodes 反向电压 Vr 顺向电流 If 结点温度Tj Zener Diodes 稳压电压 Vz 反向电流 Iz 功率损耗 P 结点温度 Tj IGBT Types 集电极－发射 极电压 Vce 基极－发射极 电压 Vbe 集电极电流 Ic 结点温度 Tj Triac Types 电压Vdrm 电流It 结点温度Tj Transient Suppresser 稳压电压 Vz 反向电流 Iz 功率损耗 P 结点温度 Tj 电阻器 电阻器 电压均方根 Vrms 功率损耗 P 表面温度 T 电容器 电解电容 电压峰值 Vpeak 纹波电流 I 表面温度 T 非电解电容 电压峰值 Vrms 表面温度 T 磁性元件 变压器/电感 表面温度 集成电路 IC 输入电压Vin 输入电流Iin 输出电流Iout 结点温度 Tj 中国长城计算机深圳股份有限公司电源事业部 元件应力降额规范 编号: WI-QD-DQ008 版本号:A 修改号:00 第 5 页 共 10页 1.0 半导体器件 1.1顺向电额 Note: Additional derating may be needed for devices operating in parallel. Component Type Parameter Acceptable Region Questionable Region Unacceptable Region FET 肸肸 <70% 70% to 80% 80% Transistors 肸肸 <70% 70% to 80% 80% Small Signal Diodes 肸肸 <70% 70% to 80% 80% Schottky Type Diodes 肸肸 <70% 70% to 80% 80% Power Rectifier 肸肸 <70% 70% to 80% 80% Transient Suppresser 肸肸肸,,肸 <70% 70% to 80% 80% Zener Type Diodes 肸肸肸 <70% 70% to 80% 80% IGBT Types 肸肸 <70% 70% to 80% 80% Thyristor/SCR Types 肸,,<70% 70% to 80% 80% Triac Types 肸 <70% 70% to 80% 80% Other Types 肸肸,,肸,,肸 <70% 70% to 80% 80% 1.2电压应力额 Component Type Parameter Acceptable Region Questionable Region Unacceptable Region FET 肸肸肸 肸肸肸肸瞬态） 肸肸肸 <80% <90% <80% 80% to 90% 90% to 100% 80% to 90% 90% 100% 90% Transistors 肸肸肸 肸肸肸肸瞬态） 肸BB <80% <90% <80% 80% to 90% 90% to 100% 80% to 90% 90% 100% 90% Small Signal Diodes 肸肸 <60% 60% to 90% 90% Schottky Type Diodes 肸肸 肸肸（瞬态） <80% <90% 80% to 90% 90% to 100% 90% 100% Power Rectifier 肸肸 肸肸肸瞬态肸 <80% <90% 80% to 90% 90% to 100% 90% 100% Transient Suppreser 肸肸,肸,肸肸 <80% 80% to 90% 90% Zener Type Diodes 肸肸 <80% 80% to 90% 90% IGBT Types 肸肸肸 <80% 80% to 90% 90% Thyristor/SCR Types 肸肸肸肸, <80% 80% to 90% 90% Triac Types 肸肸肸肸, <80% 80% to 90% 90% Other Types 肸肸,,肸,,肸肸肸,,肸肸,,肸<80％ 80% to 80% 90% 1.3 结点温额 半导体元器件，温测试的是元件的表面温，用如下公式计算结温。 TJ = TC + thJCP Where: TJ = Maximum Junction Temperature TC = Case Temperature thJC = Junctions-to-Case Thermal Resistance P = Power Dissipated In The Device